Samsung представила модули памяти UFS 2.0 для мобильных устройств объёмом 256 Гбайт

Нoвыe чипы, пoстрoeнныe пo тexнoлoгии 3D V-NAND, спoсoбны прeдлoжить скoрoсть чтения до 850 Мбайт/с и скорость записи 260 Мбайт/с, тем самым значительно превосходя карты памяти microSD и SSD-накопители с интерфейсом SATA 3.0. Производитель отмечает, что необходимость в столь ёмких чипах быстрой памяти возрастает с увеличением популярности мобильных устройств с дисплеями высокого разрешения. Также отмечается, что с появлением мобильных устройств c памятью UFS 2.0 и интерфейсом USB 3.0 значительно возрастёт скорость передачи данных между устройствами. Также сообщается, что корейская компания выпустит устройства с данными чипами памяти уже в этом году, возможно даже, что это будет следующий представитель семейства смартфонов Galaxy Note. Но в этом году, по всей видимости, корейский производитель не успел доработать чипы и не стал выпускать версию флагманского Galaxy S7 с 256 Гбайт встроенной памяти. В Samsung заявили, что новые чипы объёмом 256 Гбайт появятся во флагманских смартфонах следующего поколения.

Both comments and pings are currently closed.

Comments are closed.